München, 19. Juli 2019 - Im Vergleich zu üblichen 3-Level Neutral Point Clamped-(NPC)-Topologien unterstützt das Advanced NPC (ANPC) bei Wechselrichterdesigns eine gleichmäßige Verlustverteilung zwischen Leistungshalbleitern. Die Infineon Technologies AG nutzt die ANPC-Topologie daher für ein hybrides SiC- und IGBT-Leistungsmodul, das EasyPACK™ 2B der 1200 V-Familie. Es optimiert die Sweet Spot-Verluste der CoolSiC MOSFET- bzw. der TRENCHSTOP IGBT4-Chipsätze. Das Modul erzielt so eine erhöhte Leistungsdichte und eine Schaltfrequenz von bis zu 48 kHz. Es ist deshalb besonders gut geeignet für die Anforderungen der neuen Generation von 1500 V Photovoltaikanwendungen und von Energiespeichern.

Die neue ANPC-Topologie unterstützt eine Systemeffizienz von mehr als 99 Prozent. Durch den Einsatz des hybriden Easy 2B-Leistungsmoduls in z.B. der DC/AC-Stufe eines 1500 V Solar-Stringwechselrichters können Spulen kleiner dimensioniert werden als bei Geräten mit niedrigerer Schaltfrequenz. Damit wiegt er deutlich weniger als entsprechende Wechselrichter, die nur mit Siliziumkomponenten ausgestattet sind. Zudem sind die Verluste bei Siliziumkarbid geringer als bei Silizium. Aus diesem Grund muss weniger Wärme abgeführt und die Kühlkörper können kleiner dimensioniert werden. Insgesamt ermöglicht dies kleinere Gehäuse und Kosteneinsparungen auf Systemebene. Im Vergleich zu 5-Level-Topologien reduziert das 3-Level-Design die Komplexität des Wechselrichters.

Das Easy 2B-Standardgehäuse für Leistungsmodule zeichnet sich durch eine branchenweit führende geringe Streuinduktivität aus. Darüber hinaus sorgt die integrierte Bodydiode des CoolSiC MOSFET-Chips für eine verlustarme Freilauffunktion ohne zusätzlichen SiC-Diodenchip. Der ebenfalls integrierte NTC-Temperatursensor erleichtert die Überwachung des Bauteils, und die PressFIT-Technologie reduziert die Montagezeit.

Verfügbarkeit

Das hybride EasyPACK 2B (F3L11MR12W2M1_B65) kann ab sofort bestellt werden. Weitere Information ist erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet.

Infineon Technologies AG veröffentlichte diesen Inhalt am 19 Juli 2019 und ist allein verantwortlich für die darin enthaltenen Informationen.
Unverändert und nicht überarbeitet weiter verbreitet am 19 Juli 2019 09:54:08 UTC.

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