Samsung Electronics Co., Ltd. gab bekannt, dass das Unternehmen mit der Massenproduktion seines vertikalen NAND (V-NAND) der 9. Generation mit einem Terabit (Tb) Triple-Level-Cell (TLC) begonnen hat und damit seine Führungsposition auf dem NAND-Flash-Markt festigt. Mit der branchenweit kleinsten Zellgröße und der dünnsten Form hat Samsung die Bitdichte des V-NAND der 9. Generation um etwa 50% gegenüber dem V-NAND der 8. Neue Innovationen wie die Vermeidung von Zellinterferenzen und die Verlängerung der Zelllebensdauer wurden angewandt, um die Produktqualität und -zuverlässigkeit zu verbessern, während die Eliminierung von Dummy-Channel-Löchern die ebene Fläche der Speicherzellen deutlich reduziert hat.

Darüber hinaus zeigt Samsungs fortschrittliche "Channel Hole Etching"-Technologie die führende Stellung des Unternehmens bei den Prozessfähigkeiten. Diese Technologie erzeugt Elektronenbahnen durch das Stapeln von Formschichten und maximiert die Produktivität bei der Herstellung, da sie das gleichzeitige Bohren der branchenweit höchsten Anzahl von Zellschichten in einer Doppelstockstruktur ermöglicht. Da die Anzahl der Zellschichten zunimmt, wird die Fähigkeit, eine höhere Zellzahl zu durchdringen, immer wichtiger und erfordert ausgefeiltere Ätztechniken.

Der V-NAND der 9. Generation ist mit der NAND-Flash-Schnittstelle der nächsten Generation, "Toggle 5.1", ausgestattet, die eine um 33% höhere Dateneingangs- und -ausgangsgeschwindigkeit von bis zu 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps) unterstützt. Zusammen mit dieser neuen Schnittstelle plant Samsung, seine Position auf dem Markt für Hochleistungs-SSDs durch die Erweiterung der Unterstützung für PCIe 5.0 zu festigen. Auch der Stromverbrauch wurde im Vergleich zur Vorgängergeneration um 10 % verbessert, und zwar durch Fortschritte beim stromsparenden Design. Da die Reduzierung des Energieverbrauchs und der Kohlendioxidemissionen für die Kunden immer wichtiger wird, dürfte Samsungs V-SAND der 9. Generation eine optimale Lösung für zukünftige Anwendungen sein.

Samsung hat in diesem Monat mit der Massenproduktion des 1Tb TLC V-SAND der 9. Generation begonnen, gefolgt von dem Quad Level Cell (QLC) Modell in der zweiten Hälfte dieses Jahres.